快科技8月18日音讯我爱我爱色，半导体公司NEO Semiconductor近日秘书推出3D X-AI芯片技巧，被缱绻用于取代高带宽内存(HBM)中的现存DRAM芯片，以提高东谈主工智能贬责性能并显赫降粗劣耗。
3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路，这些电旅途直在3D DRAM中试验AI贬累赘务，隔断了AI性能加快达到100倍。
与此同期，由于大幅减少了数据传输需求，该芯片的功耗缩短了99%，有用缩短了数据总线的功耗和发烧问题。
NEO Semiconductor的这一鼎新还带来了8倍的内存密度，其3D X-AI芯片包含300个DRAM层，支撑开动更大限制的AI模子。
该公司此前已秘书环球首款3D DRAM技巧，而3D X-AI芯片则是在此基础上的进一步鼎新，通过近似HBM的堆叠封装，隔断了每芯片高达10 TB/s的AI贬责模糊量。
NEO Semiconductor创举东谈主兼首席试验官Andy Hsu指出，现时AI芯片架构中数据存储与贬责的辩认导致了性能瓶颈和高功耗问题。
3D X-AI芯片通过在每个HBM芯片中试验AI贬责，显赫减少了HBM和GPU之间传输的数据量，从而提高性能并缩短功耗。
行业分析师Jay Kramer合计，3D X-AI技巧的愚弄将加快新兴AI用例的斥地，并鼓舞新用例的创造，为AI愚弄鼎新开启新时间。
